IGBT光纖測溫-可控硅光纖測溫-晶閘管光纖測溫
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)被廣泛應用于通訊、交通和電力等諸多領(lǐng)域,并且正在朝著(zhù)高電壓、高頻率和大功率的方向發(fā)展。以上系統的高安全性要求使得IGBT的可靠性的要求提高。因此對IGBT的狀態(tài)監測和壽命預測極其重要,IGBT失效形式很多,而溫度是是導致其失效的主要因素,因此熱分析是IGBT狀態(tài)評估中的重要內容,實(shí)時(shí)測取IGBT結溫對于提高系統的可靠性具有重要的意義。
高電壓大功率晶閘管是超高壓或特高壓直流輸電工程中換流閥的關(guān)鍵元件,晶閘管的健康狀況直接影響著(zhù)直流輸電工程的安全可靠性。晶閘管在工作過(guò)程中,在高電壓、大電流、溫度、濕度、機械振動(dòng)、以及輻射等多種應力的共同作用下,晶閘管發(fā)生老化的現象在所難免,其性能參數也隨著(zhù)老化而改變。全面掌握晶閘管的老化及其參數退化的規律,對于晶閘管狀態(tài)評估、制定科學(xué)的檢修方案,以及對晶閘管剩余壽命預測均具有十分重要的意義。
IGBT作為低壓高壓的一個(gè)門(mén)電路,其工作正常與否直接決定了電動(dòng)壓縮機工作狀態(tài)。IGBT失效是電動(dòng)汽車(chē)售后市場(chǎng)電動(dòng)壓縮機的主要問(wèn)題之一,失效模式主要有IGBT擊穿和短路,其中IGBT過(guò)流、過(guò)熱是導致其失效的主要的原因。目前大部分廠(chǎng)家根據IGBT的失效模式,會(huì )在壓縮機控制策略中會(huì )增加IGBT過(guò)流保護(過(guò)載保護)和IGBT過(guò)熱保護,但這些保護策略之前沒(méi)有相互關(guān)聯(lián),IGBT可能會(huì )有長(cháng)時(shí)間工作在大電流和高溫下的情況,這無(wú)疑會(huì )降低IGBT的使用壽命,而且此種保護方式會(huì )限制IGBT的工作電流,進(jìn)而限值電機的動(dòng)力輸出。
隨著(zhù)化工能源的不斷枯竭,環(huán)境污染的加劇,電動(dòng)汽車(chē)在市場(chǎng)占有率逐年提升。電機控制器作為電動(dòng)汽車(chē)的核心部件,為整車(chē)提供驅動(dòng)力。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為其控制部分的核心元器件,扮演著(zhù)重要的角色。由于電動(dòng)汽車(chē)用驅動(dòng)電機功率大,工作環(huán)境惡劣,這要求IGBT模塊能夠處理較大的電流。這要求IGBT模塊本身具有良好的散熱能力,同時(shí)可以承受較高的工作溫度。
以IGBT為代表的半導體功率器件是變流器的核心部件之一,也是主要的發(fā)熱部件之一,其熱管理極其重要,在很大程度上影響著(zhù)器件的壽命和變流器的可使用年限。熱主要從兩個(gè)溫度方面影響IGBT器件壽命,一是允許溫度,當前工業(yè)類(lèi)的IGBT器件最高允許溫度大多為150℃,小部分為175℃,超過(guò)允許溫度,器件可靠性得不到保證,很容易失效;二是溫度波動(dòng)或者叫溫度循環(huán),因為IGBT器件內部包含多種材料,而每種的材料熱膨脹率不一樣,溫度波動(dòng)使得器件反復地膨脹和收縮,而不同材料的膨脹和收縮程度不一樣,頻繁的溫度波動(dòng)會(huì )帶來(lái)IGBT器件因熱疲勞而失效的問(wèn)題。IGBT器件允許溫度在當前的變流器中都會(huì )被關(guān)注,并且產(chǎn)品設計時(shí)會(huì )留有一定裕量;而溫度波動(dòng)在很多時(shí)候被較少關(guān)注,即使關(guān)注溫度波動(dòng),也主要考慮避免波動(dòng)時(shí)的IGBT結溫超過(guò)允許溫度,而不是關(guān)注溫度循環(huán)壽命,因為溫度波動(dòng)造成的器件熱疲勞與波動(dòng)的頻率和幅值密切相關(guān),是一個(gè)的長(cháng)期積累的過(guò)程。
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